近日，國家工信部正式批復同意武漢建設國家信息光電子創新中心。作為中國制造2025全國正式授牌的第二批創新中心，同時也是湖北省獲得的第壹個國家制造業創新中心，國家信息光電子創新中心承載著解決我國信息光電子制造業“關鍵和共性技術協同研發”並“實現首次商業化”的戰略任務，將成為推進“中國制造2025”在信息技術產業領域實現落地，破解我國信息光電子“缺芯少魂”局面，保障國家安全的主體力量。

    今年八月，天孚通信通過增資的形式出資 1,000 萬元入股武漢光谷信息光電子創新中心有限公司（占股6.25%），共同參與推動產業前沿與共性關鍵技術研發，突破產業鏈關鍵技術與共性技術供給瓶頸；增強國內信息光電子產業的全球競爭力，保障國家安全。同時作為業界領先的光通信電子元器件壹站式解決方案提供商，此次增資有助於進壹步加速公司研發能力升級，提升為下遊光模塊客戶提供壹站式深度服務的能力。

黨的十九大報告提出，要讓創新成為建設現代化經濟體系的戰略支撐，要瞄準世界科技前沿、強化基礎研究，要加強應用基礎研究，突出關鍵共性技術、前沿引領技術、現代工程技術、顛覆性技術創新。

作為國家經濟的重要引擎，信息經濟的規模和效益不斷提高。

2016年，我國以互聯網為重要載體的數字經濟規模已達22.4萬億元，占GDP比重超過30.1%。作為行業發展的重要紐帶，信息通信正加大與各行業系統性融合的步伐。光電子是信息通信的核心和基石，是光通信系統的“心臟”，光電子將是繼微電子之後再次推動人類科學技術進步的關鍵產業，將在未來光存儲、光顯示、光互聯、光計算，將在未來醫療衛生和航天、國防中發揮重要作用，全球主要發達國家正在加緊進行科研和產業布局，這壹趨勢迫切需要我們抓牢關鍵技術，掌握知識產權，建立系統完備的光電子產業體系。

預計到2020年，全球信息光電子相關產業鏈規模預計超過1.3萬億美元，行業前景深遠廣闊。 “十二五”至今，國內信息產業發展勢頭十足，全球影響力日漸提升。但國內信息光電子產業領域始終面臨“大”而不“強”，產業鏈發展不均衡，核心技術對外依存度高等短板，放眼全球，美國正在大力發展集成光電子制造業創新中心，截至今年已建成14家制造業創新中心；其中的集成光子制造業創新中心（AIM），投資超過6億美元，成員數超過124！不論從擺脫國內行業困境還是追趕全球領先腳步的角度，發展自主可控的“中國芯”產業化之路都迫在眉睫。

2015年，《中國制造2025》正式印發，制造強國戰略推進實施。在《中國制造2025》裏，新壹代信息技術產業成為了十大重點領域之壹。圍繞著互聯網+、寬帶中國、智能制造、智慧城市、信息安全等國家戰略新興光電子應用領域所需的高端光電子芯片制造與先進集成封裝技術，作為新壹代信息技術基礎的信息光電子創新中心將肩負起提升國家信息光電子核心競爭力、促進新壹代信息技術產業轉型升級的重任！

選址武漢，先天優勢明顯。作為“中國制造2025”第壹批試點示範城市以及國家光電子產業基地（武漢·中國光谷），武漢匯聚了42所高等院校、56個國家省部級科研院所，擁有著包括66名兩院院士以及從研發人員到技術工人全產業鏈的成熟人才隊伍。2016年，武漢光電子企業銷售規模超過5000億元，是國內最大的光電子信息產業集群。

光迅牽頭，後發動力充沛。作為武漢郵電科學研究院下屬子公司，牽頭單位武漢光迅科技股份有限公司先後承擔了863、973、科技支撐計劃等130余項國家級項目，制定了國家和行業標準100余項。目前，光迅科技國內市場份額連續十年位列第壹，全球市場排名第五，是國內唯壹壹家有能力對光電器件進行系統性、戰略性研究開發的高新技術企業。通過並購和投資，光迅科技在丹麥、法國和美國相繼成立了研發中心，形成了“三位壹體，優勢協同”的戰略布局。股東單位均為國內行業前三的龍頭企業，2016年產值總額接近1000億元，而其他參與共建的單位，涵蓋了信息光電子領域的優勢企業、研究院所和高校、重要應用領域典型用戶等，目前已與28+家國內外單位簽署共建協議，在平臺建設、資源共享、人員交流等開展合作。與俄羅斯、法國、美國、德國等國外數家知名研究機構達成戰略合作意向，凝聚全球人才及技術資源。利用網絡化時代的特點和優勢，進行協同聯合攻關，充分利用合作共建方內已有軟硬件條件，減小重復投資。在技術水平、工藝能力、商業化能力、人才建設方面有著很強的互補性和協同性。

信息光電子創新中心秉承“開放、合作、共贏”的開放合作理念，發揮骨幹企業主導作用，集聚全球創新資源，建立聯合開發、優勢互補、成果共享、風險共擔的“產學研融”協同創新機制；開展產業前沿技術與關鍵共性技術研發，突破關鍵共性技術供給瓶頸；促進科技成果商業化應用，打造從科學家到企業家多層次人才隊伍，支撐新壹代信息技術產業發展,帶動相關產業轉型升級。

2016年10月，武漢光迅科技股份有限公司牽頭組建的湖北省信息光電子創新中心，在湖北省制造強省建設領導小組的批準下正式成立。為了提升創新活力，中心以“企業為主體，以市場為導向，產學研用融深度融合”為理念進行建設。

2016年11月，“湖北省信息光電子創新中心”獲時任工信部副部長懷進鵬授牌；

2017年5月，國務院副總理馬凱來武漢視察並重點考察了信息光電子創新中心建設情況；

2017年7月，“信息光電子制造業創新中心”方案研討會在中國工程院成功召開。國內信息光電子行業11位院士及相關專家，股東單位、共建單位齊聚壹堂進行了熱烈研討；

2017年9月，工信部副部長羅文參觀調研了信息光電子創新中心；

2017年10月18日，國家信息光電子創新中心建設方案專家論證會在北京召開。會上，武漢光谷信息光電子創新中心有限公司就信息光電子創新中心建設方案進行了匯報，與會專家就創新中心的定位功能、運行機制和建設目標等進行了深入討論，並壹致同意通過信息光電子創新中心建設方案的論證。

從光迅牽頭組建到最終通過專家認證，信息光電子創新中心倍受各級領導關註，得到了各級政府的大力支持;工信部部長苗圩指出，制造業創新中心建設工程是《中國制造2025》的五大工程之壹，肩負著凝聚創新力量，打造新型載體，支撐制造強國建設的重大使命。

工信部副部長羅文則是就下壹步抓好創新中心建設提出了三點意見：壹要完善頂層設計。建設方案編制要抓住三個關鍵詞，即共性技術、開放合作、輻射帶動。二要落實制度安排。重點抓好兩方面制度建設，壹方面股權結構要多元化，防止出現壹股獨大的現象；另壹方面運作機制要市場化，建立以龍頭企業促進產學研用融相結合的協同創新機制。三要探索可持續發展模式。通過構建“自主經營、自負盈虧、自我造血、自我發展”的商業模式，實現創新中心的自我可持續發展。

信息光電子創新中心建立了現代化的企業法人制度，具備自我可持續發展的能力。中心目前共有三個分布區域，分別為創新中心總部、芯片技術部、器件技術部和集成光電部區域。依托光迅芯片平臺、國重實驗室兩大技術平臺，創新中心組成創建了光電芯片工藝平臺和光電集成研發平臺（矽光平臺、高端器件驗證平臺），形成了從材料生長，芯片後工藝、光子集成、光電集成、高速系統硬件試驗測試的高端工藝和測試的技術平臺。

信息光電子創新中心組建了包括10名院士專家和17名行業專家的委員會，建立了市場化的項目運作和管理、知識產權歸屬及技術成果轉化機制，成立以來已經實施了矽光技術轉移擴散，在III-V族高端光電芯片技術和工藝以及矽光集成芯片設計和測試方面、高速光系統設計和驗證方面擁有強大的創新能力，對信息光電子領域產業技術創新形成了重大影響。

創新中心的發展願景是匯聚行業優勢創新資源共建信息光電子產業創新平臺。要實現面向新壹代網絡、數據中心光互聯、5G及接入、光傳感、國防光電子等信息光電子應用領域，在高端材料生長、核心芯片工藝、先進封裝集成等方面突破關鍵技術和共性技術瓶頸。

目標：

3-5年建成國際壹流的信息光電子制造業創新平臺，推動核心光電子芯片和器件行業供給率超過30%；

2025年，核心光電子芯片和器件實現自主可控。

   通過政府牽引、企業主導、高校和科研機構支持，集聚行業優勢資源，創新中心已經形成了壹個“產學研用融”合作共贏的創新生態系統，打通了先進制造技術從基礎研究到應用研究、首次商業化和規模化生產的創新鏈條，促進行業關鍵共性技術向規模化、經濟高效的制造能力轉化。