近日，国家工信部正式批复同意武汉建设国家信息光电子创新中心。作为中国制造2025全国正式授牌的第二批创新中心，同时也是湖北省获得的第一个国家制造业创新中心，国家信息光电子创新中心承载着解决我国信息光电子制造业“关键和共性技术协同研发”并“实现首次商业化”的战略任务，将成为推进“中国制造2025”在信息技术产业领域实现落地，破解我国信息光电子“缺芯少魂”局面，保障国家安全的主体力量。

    今年八月，天孚通信通过增资的形式出资 1,000 万元入股武汉光谷信息光电子创新中心有限公司（占股6.25%），共同参与推动产业前沿与共性关键技术研发，突破产业链关键技术与共性技术供给瓶颈；增强国内信息光电子产业的全球竞争力，保障国家安全。同时作为业界领先的光通信电子元器件一站式解决方案提供商，此次增资有助于进一步加速公司研发能力升级，提升为下游光模块客户提供一站式深度服务的能力。

党的十九大报告提出，要让创新成为建设现代化经济体系的战略支撑，要瞄准世界科技前沿、强化基础研究，要加强应用基础研究，突出关键共性技术、前沿引领技术、现代工程技术、颠覆性技术创新。

作为国家经济的重要引擎，信息经济的规模和效益不断提高。

2016年，我国以互联网为重要载体的数字经济规模已达22.4万亿元，占GDP比重超过30.1%。作为行业发展的重要纽带，信息通信正加大与各行业系统性融合的步伐。光电子是信息通信的核心和基石，是光通信系统的“心脏”，光电子将是继微电子之后再次推动人类科学技术进步的关键产业，将在未来光存储、光显示、光互联、光计算，将在未来医疗卫生和航天、国防中发挥重要作用，全球主要发达国家正在加紧进行科研和产业布局，这一趋势迫切需要我们抓牢关键技术，掌握知识产权，建立系统完备的光电子产业体系。

预计到2020年，全球信息光电子相关产业链规模预计超过1.3万亿美元，行业前景深远广阔。 “十二五”至今，国内信息产业发展势头十足，全球影响力日渐提升。但国内信息光电子产业领域始终面临“大”而不“强”，产业链发展不均衡，核心技术对外依存度高等短板，放眼全球，美国正在大力发展集成光电子制造业创新中心，截至今年已建成14家制造业创新中心；其中的集成光子制造业创新中心（AIM），投资超过6亿美元，成员数超过124！不论从摆脱国内行业困境还是追赶全球领先脚步的角度，发展自主可控的“中国芯”产业化之路都迫在眉睫。

2015年，《中国制造2025》正式印发，制造强国战略推进实施。在《中国制造2025》里，新一代信息技术产业成为了十大重点领域之一。围绕着互联网+、宽带中国、智能制造、智慧城市、信息安全等国家战略新兴光电子应用领域所需的高端光电子芯片制造与先进集成封装技术，作为新一代信息技术基础的信息光电子创新中心将肩负起提升国家信息光电子核心竞争力、促进新一代信息技术产业转型升级的重任！

选址武汉，先天优势明显。作为“中国制造2025”第一批试点示范城市以及国家光电子产业基地（武汉·中国光谷），武汉汇聚了42所高等院校、56个国家省部级科研院所，拥有着包括66名两院院士以及从研发人员到技术工人全产业链的成熟人才队伍。2016年，武汉光电子企业销售规模超过5000亿元，是国内最大的光电子信息产业集群。

光迅牵头，后发动力充沛。作为武汉邮电科学研究院下属子公司，牵头单位武汉光迅科技股份有限公司先后承担了863、973、科技支撑计划等130余项国家级项目，制定了国家和行业标准100余项。目前，光迅科技国内市场份额连续十年位列第一，全球市场排名第五，是国内唯一一家有能力对光电器件进行系统性、战略性研究开发的高新技术企业。通过并购和投资，光迅科技在丹麦、法国和美国相继成立了研发中心，形成了“三位一体，优势协同”的战略布局。股东单位均为国内行业前三的龙头企业，2016年产值总额接近1000亿元，而其他参与共建的单位，涵盖了信息光电子领域的优势企业、研究院所和高校、重要应用领域典型用户等，目前已与28+家国内外单位签署共建协议，在平台建设、资源共享、人员交流等开展合作。与俄罗斯、法国、美国、德国等国外数家知名研究机构达成战略合作意向，凝聚全球人才及技术资源。利用网络化时代的特点和优势，进行协同联合攻关，充分利用合作共建方内已有软硬件条件，减小重复投资。在技术水平、工艺能力、商业化能力、人才建设方面有着很强的互补性和协同性。

信息光电子创新中心秉承“开放、合作、共赢”的开放合作理念，发挥骨干企业主导作用，集聚全球创新资源，建立联合开发、优势互补、成果共享、风险共担的“产学研融”协同创新机制；开展产业前沿技术与关键共性技术研发，突破关键共性技术供给瓶颈；促进科技成果商业化应用，打造从科学家到企业家多层次人才队伍，支撑新一代信息技术产业发展,带动相关产业转型升级。

2016年10月，武汉光迅科技股份有限公司牵头组建的湖北省信息光电子创新中心，在湖北省制造强省建设领导小组的批准下正式成立。为了提升创新活力，中心以“企业为主体，以市场为导向，产学研用融深度融合”为理念进行建设。

2016年11月，“湖北省信息光电子创新中心”获时任工信部副部长怀进鹏授牌；

2017年5月，国务院副总理马凯来武汉视察并重点考察了信息光电子创新中心建设情况；

2017年7月，“信息光电子制造业创新中心”方案研讨会在中国工程院成功召开。国内信息光电子行业11位院士及相关专家，股东单位、共建单位齐聚一堂进行了热烈研讨；

2017年9月，工信部副部长罗文参观调研了信息光电子创新中心；

2017年10月18日，国家信息光电子创新中心建设方案专家论证会在北京召开。会上，武汉光谷信息光电子创新中心有限公司就信息光电子创新中心建设方案进行了汇报，与会专家就创新中心的定位功能、运行机制和建设目标等进行了深入讨论，并一致同意通过信息光电子创新中心建设方案的论证。

从光迅牵头组建到最终通过专家认证，信息光电子创新中心倍受各级领导关注，得到了各级政府的大力支持;工信部部长苗圩指出，制造业创新中心建设工程是《中国制造2025》的五大工程之一，肩负着凝聚创新力量，打造新型载体，支撑制造强国建设的重大使命。

工信部副部长罗文则是就下一步抓好创新中心建设提出了三点意见：一要完善顶层设计。建设方案编制要抓住三个关键词，即共性技术、开放合作、辐射带动。二要落实制度安排。重点抓好两方面制度建设，一方面股权结构要多元化，防止出现一股独大的现象；另一方面运作机制要市场化，建立以龙头企业促进产学研用融相结合的协同创新机制。三要探索可持续发展模式。通过构建“自主经营、自负盈亏、自我造血、自我发展”的商业模式，实现创新中心的自我可持续发展。

信息光电子创新中心建立了现代化的企业法人制度，具备自我可持续发展的能力。中心目前共有三个分布区域，分别为创新中心总部、芯片技术部、器件技术部和集成光电部区域。依托光迅芯片平台、国重实验室两大技术平台，创新中心组成创建了光电芯片工艺平台和光电集成研发平台（硅光平台、高端器件验证平台），形成了从材料生长，芯片后工艺、光子集成、光电集成、高速系统硬件试验测试的高端工艺和测试的技术平台。

信息光电子创新中心组建了包括10名院士专家和17名行业专家的委员会，建立了市场化的项目运作和管理、知识产权归属及技术成果转化机制，成立以来已经实施了硅光技术转移扩散，在III-V族高端光电芯片技术和工艺以及硅光集成芯片设计和测试方面、高速光系统设计和验证方面拥有强大的创新能力，对信息光电子领域产业技术创新形成了重大影响。

创新中心的发展愿景是汇聚行业优势创新资源共建信息光电子产业创新平台。要实现面向新一代网络、数据中心光互联、5G及接入、光传感、国防光电子等信息光电子应用领域，在高端材料生长、核心芯片工艺、先进封装集成等方面突破关键技术和共性技术瓶颈。

目标：

3-5年建成国际一流的信息光电子制造业创新平台，推动核心光电子芯片和器件行业供给率超过30%；

2025年，核心光电子芯片和器件实现自主可控。

   通过政府牵引、企业主导、高校和科研机构支持，集聚行业优势资源，创新中心已经形成了一个“产学研用融”合作共赢的创新生态系统，打通了先进制造技术从基础研究到应用研究、首次商业化和规模化生产的创新链条，促进行业关键共性技术向规模化、经济高效的制造能力转化。